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NTMFS5H663NLT1G
NTMFS5H663NLT1G
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NTMFS5C670NLT1G by onsemi
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NTMFS5C670NLT1G

The NTMFS5C670NLT1G is a single N-Channel power MOSFET rated for 60V with a maximum on-resistance of 6.1 mΩ and a continuous drain current of 71A. ...

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描述

The NTMFS5C670NLT1G is a single N-Channel power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It operates with a drain-to-source voltage (VDSS) of 60 V and supports a maximum continuous drain current (ID) of 71 A at a case temperature of 25°C. This device features a very low on-resistance (RDS(on)) of 6.1 mΩ (max) at a gate voltage of 10 V, which minimizes conduction losses. Housed in a compact 5x6 mm DFN5 package, this RoHS compliant MOSFET is ideal for space-constrained designs requiring high power density and efficiency.

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onsemi
部件编号:
NTMFS5C670NLT1G
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每 Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
JP
ECCN:
EAR99
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1500

常见问题

NTMFS5C670NLT1G 是否符合 RoHS 标准？

不，NTMFS5C670NLT1G 不符合 RoHS 标准。

NTMFS5C670NLT1G 的交货期是多少？

NTMFS5C670NLT1G 的标准交货期约为 58 周。有库存的数量由 Master Electronics 发货。

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已订购: 4,500   可以发货 9/8/27 
已订购: 4,500   可以发货 9/22/27 

最小订购数量: 100

工厂交货期 58 周

价格 (USD)

数量
单价
100
$0.4598
500
$0.3219
1,500
$0.2877
3,000
$0.2849
6,000
$0.2842
10,500
$0.2835
25,500
$0.2828
51,000 +
$0.2821
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