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FDT86113LZ by onsemi
onsemi 授权经销商

FDT86113LZ

The FDT86113LZ is an N-Channel PowerTrench® MOSFET rated for 100V drain-to-source voltage and 3.3A continuous drain current. ...

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不符合 RoHS 规定
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描述

The FDT86113LZ is an N-Channel logic-level MOSFET produced using an advanced PowerTrench® process to minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. This device features a maximum on-resistance (rDS(on)) of 100 mΩ at a VGS of 10V and is rated for a drain-to-source voltage of 100V with a continuous drain current of 3.3A. It incorporates a Gate-to-Source zener diode for enhanced ESD protection and is 100% UIL tested. Housed in a surface-mount SOT-223 package, this MOSFET is optimized for high power and current handling, making it ideal for DC-DC switching applications.

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规格

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供应商:
onsemi
部件编号:
FDT86113LZ
计量单位:
每 Each
RoHS:
No
HTS:
8541290095
COO:
KR
ECCN:
EAR99
供应商标准包装: 此信息提供给偏好按制造商标准包装数量的倍数购买的客户。最小订购数量和要求的订购倍数会与我们的价格和库存信息一起显示。
4000

常见问题

FDT86113LZ 是否符合 RoHS 标准？

不，FDT86113LZ 不符合 RoHS 标准。

FDT86113LZ 的交货期是多少？

FDT86113LZ 的标准交货期约为 19 天。有库存的数量由 Master Electronics 发货。

有存货: 17,945

可立即发货

已订购: 8,000   可以发货 10/7/26 

最小订购数量: 50

工厂交货期 19 周

价格 (USD)

数量
单价
50
$0.8008
500
$0.4144
1,000
$0.4063
4,000
$0.3983
8,000
$0.3716
12,000
$0.3707
16,000
$0.3697
28,000 +
$0.3688
供应商标准包装
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