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MMBT3906LT1G by onsemi
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MMBT3906LT1G

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor for switching and amplification applications. ...

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描述

The MMBT3906LT1G is a general-purpose PNP silicon transistor housed in a SOT-23 package. This device features a collector-emitter voltage of -40 Vdc and a continuous collector current of -200 mAdc. Key performance characteristics include a DC current gain (hFE) between 100 and 300 at a collector current of -10 mA, and a minimum current-gain-bandwidth product of 250 MHz. The transistor has a total device dissipation of 225 mW and operates over a junction temperature range of -55°C to +150°C, making it suitable for a wide variety of general-purpose switching and linear amplification circuits.

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规格

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找到的产品: 0
供应商:
onsemi
部件编号:
MMBT3906LT1G
计量单位:
每 Each
RoHS:
Yes
HTS:
8541210095
COO:
MY
ECCN:
EAR99
供应商标准包装: 此信息提供给偏好按制造商标准包装数量的倍数购买的客户。最小订购数量和要求的订购倍数会与我们的价格和库存信息一起显示。
3000
最大集电极基极电压:
40 V
系列:
MMBT3906L
尺寸:
2.9 x 1.3 x 0.94 mm

常见问题

MMBT3906LT1G 是否符合 RoHS 标准？

是的，MMBT3906LT1G 符合 RoHS 标准。

MMBT3906LT1G 的交货期是多少？

MMBT3906LT1G 的标准交货期约为 42 天。有库存的数量由 Master Electronics 发货。

有存货: 669,000

可立即发货

最小订购数量: 3000

此消息模板用于通知联盟会员某个订单已付款。当金额被扣款时，订单会获得已付款状态。: 3000

工厂交货期 42 周

价格 (USD)

数量
单价
3,000
$0.0152
12,000
$0.0140
27,000
$0.0138
51,000
$0.0134
102,000
$0.0129
252,000
$0.0126
501,000 +
$0.0124
供应商标准包装
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