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1N5819RLG
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1N5819G by onsemi
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1N5819G

The 1N5819G is a 1.0 Ampere, 40 Volt axial-lead Schottky barrier rectifier designed for high-efficiency, low-voltage applications. ...

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描述

The 1N5819G is a 1.0 Ampere Schottky barrier rectifier utilizing a metal-to-silicon power diode design for high efficiency. It is rated for a peak repetitive reverse voltage of 40 V and an average rectified forward current of 1.0 A. Key electrical characteristics include a low maximum forward voltage of 0.6 V at 1.0 A and a maximum instantaneous reverse current of 1.0 mA at 25°C. Due to its low stored charge, majority carrier conduction, and low power loss, this device is ideally suited for use as a rectifier in low-voltage, high-frequency inverters, free-wheeling diodes, and polarity protection applications.

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供应商:
onsemi
部件编号:
1N5819G
计量单位:
每 Each
RoHS:
No
HTS:
8541100080
COO:
MY
ECCN:
EAR99
供应商标准包装: 供应商原始包装中所含物品的数量、长度、重量或体积，以便高效存储、搬运和配送。
1000

常见问题

1N5819G 是否符合 RoHS 标准？

不，1N5819G 不符合 RoHS 标准。

1N5819G 的交货期是多少？

1N5819G 的标准交货期约为 21 周。有库存的数量由 Master Electronics 发货。

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工厂交货期 21 周 可以发货 4/9/27  

价格 (USD)

数量
单价
1,000
$0.2043
3,000
$0.2010
5,000
$0.2000
8,000
$0.1995
25,000
$0.1990
50,000
$0.1985
100,000
$0.1980
150,000 +
$0.1975
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